8月24日，據報道，SK海力士正在為其下一代HBM解決方案引入包括英特爾EMIB在內的先進封裝技術，并計劃最終邁入3D封裝時代。在2026年的Hot Chips大會上，SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee發表了題為“高帶寬內存的先進封裝”的報告，詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其HBM產品路線圖，目前SK海力士正在探索混合鍵合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16層堆疊的限制，未來，SK海力士還計劃通過增加TSV數量、提高邏輯工藝集成的IO速度，以及優化電源分配網絡（PDN）來解決功耗挑戰。